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December 2013
FQPF17N40
N-Channel QFET ? MOSFET
40 0 V, 9.5 A, 270 m ?
Description
This N-Channel enhancement mode power MOSFET is
produced using Fairchild Semiconductor’s proprietary planar
stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET
technology has been especially tailored to reduce on-state
resistance, and to provide superior switching performance
and high avalanche energy strength. These devices are
suitable for switched mode power supplies, active power
factor correction (PFC), and electronic lamp ballasts.
Features
? 9.5 A, 400 V, R DS(on) = 270 m ? (Max.) @ V GS = 10 V,
I D = 4.75 A
? Low Gate Charge (Typ. 45 nC)
? Low Crss (Typ. 30 pF)
? 100% Avalanche Tested
D
D
G
S
Absolute Maximum Ratings
TO-220F
T C = 25°C unless otherwise noted .
G
S
      
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FQPF17N40T
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Maximum Lead Temperature for Soldering,
1/8" from Case for 5 Seconds.
        
        
        
        
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Thermal Characteristics
      
+ θ   
+ θ   
         
Thermal Resistance, Junction-to-Case, Max.
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient, Max.
FQPF17N40 T
2.23
-' &
    
6    ?
6    ?
?2000 Fairchild Semiconductor Corporation
FQPF17N40 Rev. C 1
1
www.fairchildsemi.com
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